自從半導體問世以來,高純度氣體的可靠供應在電子行業是至關重要的.首先,通過不同的氣體流把雜質原子引入到半導體材料來生產個別半導體元件,然后加以混合,再送進名為外延生長的過程的反應容器中.
    在制造集成電路的過程中,超過30種不同的工藝氣體被用于蝕刻\沉積\氧化\摻雜,和惰性保護的應用.現代晶片電路的嚴格要求規定,百萬份\數十億份甚至萬億份的水平的微量雜質將導致重大的缺陷,并由于高廢品率導致成本增加。
一個典型的半導體生產廠的中央輔助設施提供包括幾類大宗氣體：
♦氮氣通常利用分離空氣在現場生產。它被廣泛使用在許多過程中作為提供惰性環境或清除一個過程完成后的反應氣體。
♦氧氣也可以在現場生產或以低溫液體交付。它使用于把硅氧化-是所有半導體制造中最關鍵的過程之一。
♦氬通常以低溫液體交付，并用于為金屬的濺射沉積提供惰性環境，因為氮氣的反應性高而導致形成金屬氮化物。
♦氫氣可以在現場生產、以低溫液體或壓縮氣體交付-這取決于消耗速率。它是用于為金屬膜進行退火時提供一種還原環境。
    用于半導體制造所需要的工藝氣體被歸類為硅前驅體、摻雜劑、蝕刻劑、氣氛和反應物。
    在沉積多晶和外延硅、二氧化硅和硅的氮化物，或在化學氣相沉積法（CVD）中沉積多層的硅化合物到硅襯底上等工藝中，硅前驅體氣體提供的硅原子來源。其中最常見的是硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷和四氯化硅。
    摻雜氣體提供所要求的雜質的一個受控源，用來更改局部半導體材較的屬性。摻雜氣體提供所要求的雜質的一個受控源，用來更改局部半導體材料的屬性。摻雜劑令分子的晶格結構成為缺乏電子或剩余電子，從而改變材料的導電性。
    反應氣體包括氨、氧化二氮、氯化氫和六氟化鎢。蝕刻劑氣體包括碳氟化合物和許多其他的氟化材料，最生要的是鹵化碳14、鹵化碳23、鹵化碳116和三氟化氮。這些氣體與硅、二氧化硅和硅的氮化物反應，其功能是在形成晶片的過程中除去一些薄膜層。
    如溴化氫、氯化氫和氯等腐蝕性氣體也用于蝕刻，因為它們與金屬反應以形成揮發性產物，可方便地抽取。高純度提高了加工性能，并盡量減少對氣體管網和控制系統的腐蝕。
    氟和氟系氣體是用于反應離子蝕刻和清洗工藝，以去除沉積在晶片上的材料。
自愿性溫室氣體減排
    半導體被認為是在世界上最選進的技術而其制造工藝在過去的30年依賴使用全氟化碳（PFCs）
    這些化學物質被確認為非常強力的溫室氣體，其全球變暖潛能值至少比二氧化碳高17000倍。1998年，美國環境保護局表彰了世界半導體理事會作為其首個氣候保護獎的一部分，因為半導體產業作出努力，至力于顯著減少溫室氣體的排放量。
    例如，半導體工業協會其中一個成員公司，英特爾公司，被挑選獲得其溫室氣體管理目標的舊卓越成就獎。
     三氟甲烷、三氟化氮和六氟化硫的排放量是首要關注的問題，部分原因是由于大型號平板顯示器和硅薄膜光伏組件的需求上升，令這些清潔氣體的消耗顯著上升。這個全球性的工業已經超過了其初始的10%PFC的減排目標和報告10年內將過32%。一個新的10年目標是要所有WSC的成員的新的半導體制造設施推行最先進的實務，目的是到2020年將溫室氣體排放進一步減少30%。  
提供一個安全的解決方案
  在元素周期表中，氟是電負性最強的元素，并且是制造薄膜裝置中眾多常用的有毒氣體相化學品之一，而這種極端的反應性是對健康及設備構成風險的原因。
    氟是淡黃綠色的鹵素氣體，容易與大多數其他元素，包括惰性氣體氪、氙和氡，形成化合物。它的反應性是如此的高，許多常見的物質，包括玻璃、金屬、甚至是水，可以在一個氟氣的射流中燃燒出一個明亮的火焰。出于這個原因，大多數制造商在過去在干法刻蝕和反應腔調清洗耳恭聽應用中選擇采用NF3，雖然工業氟可作為一個低溫液體或作為一種壓縮氣體以大容量的運輸，但安全和后勤問題要求大多數氟是在現場和按需求，在低壓力或大氣壓產生和消耗。氟是利用莫瓦桑方法來進行商業化生產。供高新技術光伏制造所使用的現場制氟設備的設計都考慮到安全和可靠性。
    專用的現場制氟是成本最低的清洗腔體選項，相比NF3價格，可以節省高達50%。
    幸運的是，盡管氟擁有高的反應性，在工藝溫度，許多用來制造設備的常見金屬材料與氟是相容的。當經過適當的處理來用于氟的系統，青銅、黃銅、鎳和合金的化學都形成一層化學惰性、鈍化的金屬氟化物層，保護了基體金屬。所有氟的制造和壓縮設備、凈化和緩沖容器、閥組箱和加工設備都被帶通風功能的外殼所包圍或造成密封和分段環形管道。
    維持最低庫存是設計和安全使用氟氣所不可或缺的，所以它在現場并按需求產生的-從而避免了需要壓縮到高的壓力然后在容中運輸它。